«Qualcomm SnapDragon 830» es el nombre que ha empezado a aparecer en la web mediante una serie de rumores, sugiriéndose que este nuevo procesador tendría la capacidad de soportar memoria RAM de hasta 8 GB en los teléfonos móviles que lo contengan.
Sin duda que esta viene a ser una de las noticias más anecdóticas que hemos escuchado hasta antes de finalizar el 2015, pues todo el mundo pensaba (o pensábamos) que Qualcomm cerraría el presente año con asuntos relacionados a su Qualcomm SnapDragon 820; por supuesto que estos vienen a ser rumores basados en análisis sistemáticos de las declaraciones que habría hecho el fabricante en un momento determinado, aspectos técnicos que trataremos de explicártelos más fácilmente de lo que en un momento lo hizo su portavoz oficial.
[quote]Recuerda: Qualcomm SnapDragon y su historial de noticias[/quote]
Qualcomm SnapDragon 830 – Cómo alcanzar el límite de los 8 GB de RAM
Tal y como lo mencionamos en el párrafo anterior, en este artículo intentaremos explicarte la forma en que Qualcomm llegaría hasta los 8 GB de memoria RAM utilizando a la nueva generación de sus SnapDragon 830; para ello debemos recordar a todos las declaraciones originales que habría hecho el fabricante hace un tiempo atrás, en donde aseguraba tener la tecnología suficiente para entregar chips LPDDR4 1866 (doble canal) de 12 Gb con un proceso de fabricación de 20 nm. En este momento te recomendamos visitar a la URL que colocaremos a continuación para que puedas entender el resto del explicación:
[quote]Revisa: Conversor Gb a GB[/quote]
La sugerencia que hemos realizado con el enlace anterior también tiene otro objetivo adicional, y es que sepas diferenciar lo que representa uno y otro término. Siendo más específicos, «Gb» representa a gigabits mientras que «GB» a los gigabytes, estos últimos los que generalmente reconocemos todos como la cantidad de memoria RAM. Adicionalmente a la noticia que mencionamos en el párrafo anterior, Samsung también sugirió tener la tecnología para procesos de fabricación de apenas 10 nm, lo cual prácticamente amplía la capacidad de utilizar más chips y por tanto, tener mas memoria RAM; ahora bien, las noticias se complementan con declaraciones de la firma surcoreana al anunciar que su próximo procesador (posiblemente el Qualcomm SnapDragon 830) estaría siendo trabajado con chips LPDDR4 1866 (doble canal) de 16 Gb, algo que mejora inmensamente la capacidad.
Si Samsung decide seguir utilizando el mismo espacio de los 20 nm en sus procesadores, allí mismo podrían entrar dos de 10 nm (con doble canal) y por tanto, los 12 Gb que representan a 1.5 GB se cuadriplican hasta 6 GB; si realizamos el mismo análisis con el último dato informativo que indicamos al final del párrafo anterior, todo esto se ampliaría más aún. Usando la misma tabla de conversión que dimos en la parte superior, los 16 Gb representan a 2 GB que en el espacio de 20 nm se cuadriplican hasta 8 GB si se llegan a apilarlos con los de 10 nm siempre y cuando se siga manteniendo a la tecnología de doble canal para la memoria RAM.
